SSM3J66MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
Deutsch
Artikelnummer: | SSM3J66MFV,L3F |
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Hersteller / Marke: | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 20V 800MA VESM |
Datenblätte: | None |
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.38 |
10+ | $0.286 |
100+ | $0.1617 |
500+ | $0.1071 |
1000+ | $0.0821 |
2000+ | $0.0714 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Vgs (Max) | +6V, -8V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | VESM |
Serie | U-MOSVI |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 390mOhm @ 800mA, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 150mW (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | SOT-723 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | 150°C |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 100 pF @ 10 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.6 nC @ 4.5 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 800mA (Ta) |
Grundproduktnummer | SSM3J66 |
MOSFET P-CH 20V 700MA CST3C
MOSFET P-CH 12V 1A CST3C
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2024/04/18
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2023/12/20
![]() SSM3J66MFV,L3FToshiba Semiconductor and Storage |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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